Hoy en día, las películas delgadas de una gran diversidad de materiales semiconductores, aislantes y conductores se utilizan rutinariamente, y de manera combinada, en la fabricación de una gran cantidad de dispositivos optoelectrónicos y electroquímicos comerciales. A pesar de esto actualmente se siguen investigando estos mismos dispositivos pero fabricados con nuevos materiales (nanoestructurados, orgánicos, etc.) y/o nuevas combinaciones de materiales en película delgada, con la finalidad de hacerlos más eficientes, reducir costos y/o ampliar sus aplicaciones. El presente proyecto tiene como objetivo hacer un estudio detallado de las propiedades electrónicas y ópticas de películas delgadas de diversos materiales semiconductores, en función de su temperatura, atmósfera ambiente y campos eléctricos aplicados, y entender el efecto de estas en el funcionamiento de dispositivos optoelectrónicos y electroquímicos de gran importancia actual, que serán diseñados y desarrollados en el proyecto. Específicamente se prepararán y se estudiarán las propiedades electrónicas y ópticas de películas delgadas de los materiales semiconductores inorgánicos y orgánicos especificados a continuación, y su aplicación en los siguientes tipos de dispositivos: 1. Películas de NiO:Li y ZnO:Al depositadas por rocío pirolítico neumático, para su aplicación en sensores de hidrógeno de tipo resistivo. 2. Películas de nitruro de silicio con nanocúmulos de silicio embebidos depositadas por plasma y utilizadas como material luminiscente, películas de NiO:Li y ZnO:Al utilizadas como contacto conductor transparente, y de oxido de aluminio (Al2O3) utilizadas como material aislante, para su aplicación en LEDs y estructuras electroluminiscentes tipo metal-aislante-semiconductor (MIS). 3. Películas de sulfuro de zinc impurificado con manganeso (ZnS:Mn) y con algunos elementos de tierras raras (ZnS:Eu, ZnS:Ce) utilizadas como material luminiscente, películas de NiO:Li y ZnO:Al utilizadas como contacto conductor transparente, y películas de oxido de aluminio (Al2O3) utilizadas como material aislante, todas estas depositadas por rocío pirolítico ultrasónico para construir estructuras electroluminiscente tipo metal-aislante-semiconductor-aislante-metal (MISIM). 3. Películas de sulfuro de estaño (SnS) y disulfuro de estaño (SnS2) impurificadas con In o Bi depositadas por rocío pirolítico neumático para su aplicación en celdas fotovoltaicas del tipo unión n-p. 4. Películas de los semiconductores compuestos orgánicos; Metal-pftalocianinas [C46H22N8O4KM (M = Co, Fe, Pb) y sus derivados depositadas mediante evaporación térmica utilizadas como materiales luminiscentes, y películas de NiO:Li y ZnO:Al depositadas por rocío pirolítico, utilizadas como contacto conductor transparente, para su aplicación en OLEDs. El estudio detallado de las propiedades electrónicas de todas las películas semiconductoras se centrará en determinar, a partir de medidas de I-V y efecto Hall por el método Van der Paw, que se realizarán con el equipo que se está solicitando, el tipo de conductividad, la concentración y movilidad de portadores, el coeficiente Hall y la magnetoresistencia. Este estudio, complementado con el estudio de sus propiedades ópticas, y de su estructura, se hará para cada una de las películas antes mencionadas, en función de diferentes condiciones de preparación, para seleccionar cuales son las condiciones de depósito que dan como resultado las propiedades electrónicas que permiten una aplicación más eficiente en cada uno de los dispositivos mencionados

La contribución científica del proyecto será al conocimiento de las propiedades electrónicas (tipo de conductividad, concentración y movilidad de portadores de carga) de diversos materiales semiconductores en película delgada que se utilizan en dispósitivos optoelectrónicos y electroquímicos que son de gran interés actual. Este conocimiento redundará en la mejora de la eficiencia de estos dispositivos y en la determinación de las condiciones óptimas y/o límites de operación.