Motivados por el reciente desarrollo experimental de la síntesis y caracterización de nanoalambres porosos de carburo de silicio (pSiC), se propone realizar el estudio de la estructura y de las propiedades electrónicas de estos sistemas. Debido a que pSiC exhibe una gran superficie, se pretende estudiar el efecto de la pasivación superficial en la estructura electrónica de estos materiales por comparación con la superficie totalmente pasivada con hidrógeno. Se reemplazarán algunos átomos de hidrógeno por átomos con diferente electronegatividad, de manera que sea posible modificar el valor de la energía de los estados superficiales que se generen por la presencia de átomos diferentes a hidrógeno en la superficie. Estos átomos impureza serán colocados en posiciones estratégicas en el poro. Los poros serán modelados siguiendo la técnica de superceldas y el cálculo de las propiedades electrónicas se realizará mediante la aplicación de la Teoría de los Funcionales de la Densidad a sistemas periódicos mediante el programa CASTEP, implementado en la suite de programas Materials Studio.

El desarrollo de este proyecto contribuirá a la generación de conocimiento básico sobre las propiedades electrónicas de sistemas nanoestructurados porosos. Específicamente, al estudiar el efecto de la electronegatividad de las impurezas sobre las propiedades electrónicas de nanoalambres porosos de carburo de silicio puede generarse una herramienta de control sobre las propiedades electrónicas de los materiales.