El depósito por baño químico es reconocido como una ruta importante para la fabricación de películas delgadas, utilizando baja presión atmosférica y temperaturas cercanas al ambiente (20-80 0C). Es un método sencillo, con el cual se pueden obtener películas de 20 a 1000 nm de espesor sobre sustratos inmersos en una solución de reacción, que contiene los reactivos que proporcionan los iones metálicos y no metálicos para la formación de las películas. Otra ventaja con respecto a los métodos convencionales en fase vapor, los cuales requieren alta energía y por lo regular atmosferas inertes, es el aspecto económico. El método de depósito por baño químico (DBQ) permite obtener películas de buena calidad, es decir, transparentes, uniformes, reproducibles y con buena adherencia al sustrato, capaces de competir con películas obtenidas por otros métodos más sofisticados._x000D_ Asimismo, ofrece la posibilidad de monitorear con facilidad los parámetros de depósito, tales como temperatura, tiempo, concentración y tipo de reactivos, pH, naturaleza y tamaño del sustrato. _x000D_ Se empleará este método (DBQ) para encontrar las condiciones de la solución de reacción que den lugar a películas de semiconductores con características del tipo n y p, y descubrir características propias de estas películas. Se definirán las propiedades fundamentales de los materiales responsables del transporte de carga y la estabilidad de estos materiales mediante el control de la nucleación en películas de calcogenuro, el crecimiento y los tratamientos post-depósito._x000D_ Este proyecto estudiará para tratar de resolver las limitaciones conocidas de los materiales orgánicos: pobre estabilidad, baja movilidad en las películas delgadas de transistores orgánicos._x000D_ Los semiconductores a base de calcogenuros son un prospecto fácil de aplicar en grandes áreas de dispositivos que utilizan semiconductores, en estos se busca que presenten alta estabilidad, bajo costo y que proporcionen corrientes altas. Algunos de estos aspectos han sido hasta ahora olvidados en los semiconductores orgánicos, y años de investigación no han logrado resolver muchos de estos problemas. Con la creciente demanda de consumo de aplicaciones que requieren estas características y la baja estabilidad en materiales de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) y la casi imposibilidad de diseñar los dispositivos de tipo p en esa tecnología, este proyecto ofrece una solución integral que aborda todos estos problemas, pero se enfocará en proporcionar una mayor funcionalidad y hacer descubrimientos importantes en el desarrollo de bajo costo de dispositivos semiconductores complementarios de metal-óxido-calcogenuro (CMOS) utilizando el método de preparación de DBQ_x000D_

El mérito intelectual del trabajo incluye: _x000D_ 1) El uso de materiales inorgánicos que complementen a los materiales orgánicos, estos últimos tienen propiedades de transporte limitadas y sufren de degradación acelerada y problemas relativos al envejecimiento por lo que se trata de reforzarlos. _x000D_ 2) El estudio de la aplicación de estos materiales, cuales son las posibilidades reales de que puedan ser usados en la impresión por inyección de tinta, de lograrse permitiría en un futuro la síntesis en el chip que evitaría las etapas posteriores a la fabricación como son las medidas de alineaciones tediosas y a menudo imposibles. _x000D_ 3) El desarrollo de un modelo que contribuya significativamente al conjunto de conocimientos y la comprensión de los TFTs basados en calcogenuros. _x000D_ _x000D_