Proyectos Universitarios
Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio
Angélica Estrella Ramos Peña
Instituto de Investigaciones en Materiales
Área de las Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías

Datos curatoriales

Nombre de la colección

Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)

Responsables de la colección

Ing. César Núñez Hernández; L.I. Ivonne García Vázquez

Colección asociada

@collection_name_full1@

Responsables de la colección asociada

@collection_responsible@

Dependencia

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA)

Institución

Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM)

Identificador único (URN)

DGAPA:PAPIIT:IA101511

Datos del proyecto

Nombre del proyecto

Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio

Responsables

Angélica Estrella Ramos Peña

Año de convocatoria

2011

Clave del proyecto

IA101511

Dependencia participante

Instituto de Investigaciones en Materiales

Palabras clave

@keywords@

Área

Área de las Ciencias Físico Matemáticas y de las Ingenierías

Disciplina

Ciencias de los materiales

Especialidad

Química cuántica computacional

Modalidad

Proyectos de investigación

Síntesis

El carburo de silicio cristalino ha sido reconocido como un material que puede ser usado para una amplia variedad de aplicaciones electrónicas, existen diversos politipos de este material y todos exhiben diferentes propiedades tales como el ancho de la brecha prohibida de energía, diferentes movilidades electrónicas y diferentes propiedades térmicas. Este tipo de materiales, al ser dopados con Nitrógeno o con Boro adquieren propiedades de aplicación tecnológica muy prometedoras. Asimismo, los nanoalambres de SiC al ser dopados con diversos agentes químicos adquirirán propiedades electrónicas que se espera puedan mejorar sus propiedades como semiconductores. En este proyecto se estudia el efecto de agaentes dopantes como boro y nitrógeno sobre las propiedades electrónicas de nanoalambres de carburo de silicio. En particular, se estudia el efecto del dopaje sobre la estructura electrónica de bandas y en las propiedades ópticas de alambres cuánticos de carburo de silicio. El estudio es de carácter teórico. Se realizará el cálculo de propiedades electrónicas dentro de la teoría de los funcionales de la densidad para sistemas periódicos. Se utilizará el programa CASTEP implementado en el paquete de cálculos de estructura electrónica Materials Studio, desarrollado por Accelrys.

Contribución

@contribution@

Información general

Cómo citar esta página

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). %%Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio%%, Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En %%Portal de datos abiertos UNAM%% (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
Disponible en: http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IA101511
Fecha de actualización: 2014-11-06 12:56:34.0
Fecha de consulta:

Políticas de uso de los datos

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Contacto de la colección

Para más información sobre los Proyectos PAPIIT, favor de escribir a: Dra. Claudia Cristina Mendoza Rosales, directora de Desarrollo Académico (DGAPA). Correo: ccmendoza #para# dgapa.unam.mx



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